[ 배성수 기자 ] 삼성전자는 7일 서울 삼성동에서 열린 ‘2022 대한민국 산업기술 R&D(연구개발)대전’에서 최고 영예인 기술대상(대통령상)을 차지했다고 밝혔다. 산업통상자원부가 반도체·기계·바이오 등 대한민국 산업을 견인해온 혁신 기술을 선정해 시상한다.
이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장·맨 오른쪽)는 세계 최초 14나노(㎚) 공정 기반 D램 메모리(D1a)를 개발한 성과를 인정받아 대통령상을 받았다. D1a는 멀티 극자외선(EUV) 기반 패터닝 기술과 새로운 셀 트랜지스터 및 커패시터 소자로 구현한 초고속·고용량 D램이다.
삼성전자는 D1a 개발 과정에서 141건의 특허를 출원하며 차세대 반도체 기술을 이끌어갈 국가 산업재산권에 기여했다. D1a 양산을 위해 평택사업장에 10나노 4세대 D램 양산 라인도 새로 건설했다. 이를 통해 수천 명의 일자리를 창출했고, 소재·부품·장비 등 국내 협력사 성장도 견인했다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “제품 개발 과정에서 많은 어려움과 한계가 있었지만 참여한 모든 엔지니어가 함께해 극복할 수 있었다”며 “앞으로도 세계 1등 D램 전통을 이어갈 기술을 개발해 나가겠다”고 말했다.
이날 홍영기 삼성전자 글로벌제조&인프라총괄 파운드리 YE(수율개선)팀장(부사장)도 동탑산업훈장을 받았다. 홍 부사장은 업계 최초로 억 화소 이미지 센서 양산화에 성공하고, 5나노 시스템반도체 양산에 성공한 공로를 인정받았다.
